Транзистор КТ807Б является мощным кремниевым прибором, который широко применяется в усилительных и импульсных схемах. Этот транзистор относится к классу биполярных приборов с n-p-n структурой, что делает его универсальным для использования в различных электронных устройствах.
Основное назначение КТ807Б – работа в усилителях мощности низкой частоты, а также в схемах преобразователей и стабилизаторов. Его ключевые параметры, такие как допустимая мощность рассеяния, напряжение коллектор-эмиттер и ток коллектора, обеспечивают стабильную работу в условиях высоких нагрузок.
В данной статье подробно рассмотрены основные характеристики транзистора КТ807Б, включая его электрические параметры, предельные эксплуатационные режимы и особенности применения. Это позволит лучше понять возможности данного прибора и эффективно использовать его в проектировании электронных схем.
Основные параметры транзистора КТ807Б
Электрические параметры
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) составляет 150 В, что позволяет использовать транзистор в высоковольтных цепях. Ток коллектора (Iк) достигает 8 А, обеспечивая высокую мощность в нагрузке. Рассеиваемая мощность (Pк) равна 60 Вт, что требует эффективного теплоотвода.
Динамические характеристики
Коэффициент усиления по току (h21э) находится в диапазоне 15–90, что обеспечивает стабильное усиление сигнала. Частотная характеристика транзистора ограничена граничной частотой (fгр) в 3 МГц, что делает его пригодным для работы в низкочастотных и среднечастотных схемах.
Корпус транзистора выполнен в металлостеклянном исполнении, что обеспечивает надежность и долговечность при эксплуатации в различных условиях.
Особенности применения и технические свойства
Основные области применения включают:
- Усилители мощности низкой частоты.
- Импульсные источники питания.
- Регуляторы напряжения и тока.
- Преобразователи частоты.
Технические параметры транзистора КТ807Б представлены в таблице ниже:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальный коллекторный ток (Iк) | 5 А |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) | 300 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность (Pк) | 60 Вт |
| Коэффициент усиления по току (h21э) | 20-70 |
| Температура перехода (Tj) | до +150 °C |
Транзистор КТ807Б отличается высокой устойчивостью к перегрузкам и способностью работать в широком диапазоне температур. Это делает его пригодным для использования в промышленных и бытовых устройствах, где требуется высокая надежность и долговечность.
Описание характеристик транзистора КТ807Б
Основные параметры
- Тип проводимости: NPN.
- Максимальный коллекторный ток (Iк): 8 А.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 300 В.
- Мощность рассеяния (Pк): 60 Вт.
- Коэффициент усиления по току (h21э): 15–90.
- Температура перехода: до +150°C.
Особенности конструкции
- Корпус: ТО-3.
- Масса: не более 20 г.
Транзистор КТ807Б отличается высокой надежностью и долговечностью, что делает его подходящим для использования в условиях повышенных нагрузок.
Принцип работы и ключевые показатели
Основные параметры
Максимальный ток коллектора (Iк): до 8 А, что делает транзистор подходящим для работы в мощных устройствах.
Напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): до 250 В, обеспечивая устойчивость к высоким напряжениям.
Рассеиваемая мощность (Pк): до 60 Вт, что позволяет использовать транзистор в условиях значительных тепловых нагрузок.
Дополнительные характеристики
Коэффициент усиления по току (h21э): варьируется в пределах 15–60, что определяет эффективность управления током базы.
Температурный диапазон: от -60°C до +125°C, обеспечивая стабильную работу в различных условиях.
Эти параметры делают КТ807Б надежным компонентом для использования в усилителях мощности, импульсных блоках питания и других устройствах, требующих высокой мощности и надежности.
